3И306К
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2Т355А | 1 | 119.00 | ||||||
| 2Т355А | СВЕТЛАНА |
|
|
|||||
| 3И306Ж | 1 632 | 43.35 | ||||||
| 3И306Ж | СТАРТ | 1 905 | 16.00 | |||||
 |
RC0805JR-0751R |
|
Чип-резистор 0.125Вт, 0805, 5%, 51 | YAGEO |
|
|
||
|
|
RC0805JR-0751R |
|
Чип-резистор 0.125Вт, 0805, 5%, 51 | YAGEO |
|
|
||
 |
 |
STM32F100C8T6B |
|
ST MICROELECTRONICS | 517 | 279.53 | ||
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
903 | 194.68 | |||
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
STMicroelectronics |
|
|
||
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
МАЛАЙЗИЯ |
|
|
||
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
||
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
ST MICROELECTRO |
|
|
||
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
STMICROELECTR |
|
|
||
 |
|
П210А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный | 347 | 210.00 | ||
|
|
|
П210А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный | ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ |
|
|
|
|
|
|
П210А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный | КВАЗАР |
|
|
|
|
|
|
П210А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный | ФОТОН |
|
|
