|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
100 КГЦ | ||||||||
100 КГЦ | TAIZHOU | |||||||
100 КГЦ | КИТАЙ | |||||||
CTC-05-10RA | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) | |||||||
ГД507А | Диод импульсный для монтажа в отв. платы, Uоб/Uимп - 20/30В, Iпр/I обр 16мА/100мкА | 4.80 | ||||||
ГД507А | Диод импульсный для монтажа в отв. платы, Uоб/Uимп - 20/30В, Iпр/I обр 16мА/100мкА | ЭЛЕКС | ||||||
КТ368А | Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | 1 | 11.90 | |||||
КТ368А | Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | СВЕТЛАНА | ||||||
КТ368А | Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ДАЛЕКС | ||||||
КТ368А | Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | АЛЕКСАНДРОВ | ||||||
КТ610А | Транзистор структуры NPN усилительный | 1 | 457.60 | |||||
КТ610А | Транзистор структуры NPN усилительный | МИНСК | ||||||
КТ610А | Транзистор структуры NPN усилительный | ТРАНЗИСТОР | ||||||
КТ610А | Транзистор структуры NPN усилительный | НУКЛОНАС |
|