Версия для печати
Технические характеристики BC308A

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	25V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max)	15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 2mA, 5V
Power - Max	500mW
Frequency - Transition	130MHz
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Корпус	TO-92-3

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...		723	11.04
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	КРЕМНИЙ	800	9.83
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	СВЕТЛАНА
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	МИНСК
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	БРЯНСК	1 870	12.60
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	НАЛЬЧИК
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	РИГА
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	RUS
		КТ3107Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	ИНТЕГРАЛ	1	19.81
		КТ3107Г		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...		1 113	5.55
		КТ3107Г		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	КРЕМНИЙ	447	12.78
		КТ3107Г		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	СВЕТЛАНА	21 050	4.20
		КТ3107Г		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	БРЯНСК
		КТ3107Г		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	РИГА	5 412	4.20
		КТ3107Г		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3107Г		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	НАЛЬЧИК
		КТ3107Г		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	МИНСК
		КТ3107Г		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	RUS
		КТ3107Г		Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...	ИНТЕГРАЛ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BD435		NPN 32V 4A 36W	ST MICROELECTRONICS
		BD435		NPN 32V 4A 36W	MOTOROLA
		BD435		NPN 32V 4A 36W	ON SEMICONDUCTOR
		BD435		NPN 32V 4A 36W	SGS
		BD435		NPN 32V 4A 36W	MOTOROLA
		BD435		NPN 32V 4A 36W	ON SEMICONDUCTOR
		BD435		NPN 32V 4A 36W	SGS THOMSON
		BD435		NPN 32V 4A 36W	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD435		NPN 32V 4A 36W	STMicroelectronics
		BD435		NPN 32V 4A 36W		4	49.14
		BD435		NPN 32V 4A 36W	1
		HEF4049BP.652		Hex Invert Buffer	NXP
		HEF4049BP.652		Hex Invert Buffer		8	50.82
		HEF4049BP.652		Hex Invert Buffer	NEX-NXP
		TIP142		Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...	FAIR
		TIP142		Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...	ST MICROELECTRONICS	1 905	128.43
		TIP142		Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...	ON SEMICONDUCTOR
		TIP142		Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...	FSC
		TIP142		Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...			97.56
		TIP142		Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...	ON SEMICONDUCTOR
		TIP142		Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		TIP142		Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...	STMicroelectronics
		TIP142		Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...	PMC
		TIP142		Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...	КИТАЙ
		TIP142		Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...	INCHANGE SEMIC
		TIP142		Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...	ST MICROELECTRO
		TIP142		Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...	STMICROELECTR
		TIP142		Транзистор биполярный — составной NPN (Uce=100V, Ic=10A, P=125W, B>1000@Ic=5A, -65 to ...	MULTICOMP
		UA741ID			ST MICROELECTRONICS
		UA741ID			STMicroelectronics
		UA741ID				36	50.40
		КТ630Е				243	174.80
		КТ630Е			КРЕМНИЙ	40	423.36
		КТ630Е			БРЯНСК
		КТ630Е			ГРАВИТОН

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"