BD876

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Аналоги:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
КТ973А	Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц		4 518	35.00
КТ973А	Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	МИНСК	9 680	42.00
КТ973А	Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ТРАНЗИСТОР
КТ973А	Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ЗПП МИНСК
КТ973А	Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ИНТЕГРАЛ	2 800	80.69
КТ973А	Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ИНТЕГРАЛ-С
КТ973А	Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	RUS
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		2 135	28.88
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК	2 204	38.00
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ЗПП МИНСК
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ-С
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ЭКСИТОН
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	VBYCR