BSS315
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | OptiMOS™ |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 1.5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 11µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 2.3nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 282pF @ 15V |
| Power - Max | 500mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | PG-SOT23-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
Аналоги:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
КП507А |
|
Кремниевый полевой P-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ... | 135 | 30.62 | ||
|
|
|
КП507А |
|
Кремниевый полевой P-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ... | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КП507А |
|
Кремниевый полевой P-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ... | ИНТЕГРАЛ |
|
|
