|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
BEL
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
CDIL
|
584
|
81.79
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
CENTRAL SEMI
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
CENTRAL SEMI
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
KI
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
SOLITRON DEVICES INC
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
MICROSEMI CORP
|
5
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
|
38 080
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
BHARAT
|
80
|
96.90
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
KOME
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
SEMTECH
|
16
|
2.58
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
HOTTECH
|
6 660
|
2.50
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
MIC
|
|
|
|
|
|
2N2222A |
|
Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300)
|
HXY
|
3 040
|
2.04
|
|
|
|
LF412CN |
|
Операционный усилитель широкопол.JFET-ВХ.
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
LF412CN |
|
Операционный усилитель широкопол.JFET-ВХ.
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LF412CN |
|
Операционный усилитель широкопол.JFET-ВХ.
|
|
|
127.20
|
|
|
|
LF412CN |
|
Операционный усилитель широкопол.JFET-ВХ.
|
NSC
|
52
|
193.80
|
|
|
|
LF412CN |
|
Операционный усилитель широкопол.JFET-ВХ.
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LF412CN |
|
Операционный усилитель широкопол.JFET-ВХ.
|
NATIONAL SEMIC
|
|
|
|
|
|
LF412CN |
|
Операционный усилитель широкопол.JFET-ВХ.
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LF412CN |
|
Операционный усилитель широкопол.JFET-ВХ.
|
NS
|
|
|
|
|
|
MCP607-I/P |
|
ИМС
|
MICRO CHIP
|
407
|
100.00
|
|
|
|
MCP607-I/P |
|
ИМС
|
|
|
181.12
|
|
|
|
MCP607-I/P |
|
ИМС
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
MCP607-I/P |
|
ИМС
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
MCP607-I/P |
|
ИМС
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
REF195GPZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, DIP8, -40°C - +85°C
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
REF195GPZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, DIP8, -40°C - +85°C
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
REF195GPZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, DIP8, -40°C - +85°C
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
REF195GPZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, DIP8, -40°C - +85°C
|
США
|
|
|
|
|
|
REF195GPZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, DIP8, -40°C - +85°C
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
REF195GPZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, DIP8, -40°C - +85°C
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
REF195GPZ |
|
ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, DIP8, -40°C - +85°C
|
|
|
|
|
|
|
КТ4-21Б-3/15 |
|
Керамический конденсатор 3/15 пФ
|
|
|
28.80
|
|
|
|
КТ4-21Б-3/15 |
|
Керамический конденсатор 3/15 пФ
|
ПЛЕСКАВА
|
|
|
|
|
|
КТ4-21Б-3/15 |
|
Керамический конденсатор 3/15 пФ
|
ПСКОВ
|
|
|
|