|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
10000 UF 25V 105C 2240 |
|
|
|
|
|
|
|
|
FDS8958A |
|
Транзистор N/PMOSFET 30В, 7A/-5A, 1.6Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FDS8958A |
|
Транзистор N/PMOSFET 30В, 7A/-5A, 1.6Вт
|
FSC
|
|
|
|
|
|
FDS8958A |
|
Транзистор N/PMOSFET 30В, 7A/-5A, 1.6Вт
|
|
|
104.00
|
|
|
|
FDS8958A |
|
Транзистор N/PMOSFET 30В, 7A/-5A, 1.6Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FDS8958A |
|
Транзистор N/PMOSFET 30В, 7A/-5A, 1.6Вт
|
FAIRCHILD
|
547
|
|
|
|
|
FDS8958A |
|
Транзистор N/PMOSFET 30В, 7A/-5A, 1.6Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FDS8958A |
|
Транзистор N/PMOSFET 30В, 7A/-5A, 1.6Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
FDS8958A |
|
Транзистор N/PMOSFET 30В, 7A/-5A, 1.6Вт
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
FDS8958A |
|
Транзистор N/PMOSFET 30В, 7A/-5A, 1.6Вт
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
FDS8958A |
|
Транзистор N/PMOSFET 30В, 7A/-5A, 1.6Вт
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
FDS8958A |
|
Транзистор N/PMOSFET 30В, 7A/-5A, 1.6Вт
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
FDS8958A |
|
Транзистор N/PMOSFET 30В, 7A/-5A, 1.6Вт
|
ONS
|
51
|
58.08
|
|
|
|
FDS8958A |
|
Транзистор N/PMOSFET 30В, 7A/-5A, 1.6Вт
|
TECH PUB
|
2 043
|
16.77
|
|
|
|
LTV817B |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA
|
LINEAR TECHNOLOGY
|
|
|
|
|
|
LTV817B |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA
|
LITE-ON
|
|
|
|
|
|
LTV817B |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA
|
LIT
|
|
|
|
|
|
LTV817B |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA
|
|
|
26.28
|
|
|
|
LTV817B |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
LTV817B |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=130%1mA
|
|
|
|
|
|
|
NE555DT |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE555DT |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
NE555DT |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
|
4
|
41.58
|
|
|
|
NE555DT |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
NE555DT |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
NE555DT |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
МАРОККО
|
|
|
|
|
|
NE555DT |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555DT |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
NE555DT |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS
|
266
|
32.13
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
UTC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
|
32
|
14.76
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
5
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST1
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
HGSEMI
|
4 389
|
12.40
|
|