NJM386D
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Тип | Class AB |
| Тип выхода | 1-Channel (Mono) |
| Макс. выходная мощность х Каналы @ Нагрузка | 500mW x 1 @ 16 Ohm |
| Напряжение питания | 4 V ~ 12 V |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус | 8-DIP |
| Корпус (размер) | 8-DIP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
Аналоги:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
KA2201 |
|
УHЧ 0.5W (6V/8 Ом) |
|
|
|||
|
|
KA2201 |
|
УHЧ 0.5W (6V/8 Ом) | SAM |
|
|
||
|
|
KA2201 |
|
УHЧ 0.5W (6V/8 Ом) | SAMSUNG |
|
|
||
|
|
KA2201 |
|
УHЧ 0.5W (6V/8 Ом) | 1 |
|
|
||
 |
 |
LM386N |
|
Усилитель низкой частоты 1.25Вт (6V/8 Ом) | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
LM386N |
|
Усилитель низкой частоты 1.25Вт (6V/8 Ом) | UTC |
|
|
|
|
|
|
LM386N |
|
Усилитель низкой частоты 1.25Вт (6V/8 Ом) | 24 | 34.00 | ||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | ST MICROELECTRONICS |
|
|
||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | SGS |
|
|
||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | 4 | 72.00 | |||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | UTC |
|
|
||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | SGS THOMSON |
|
|
||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | STMicroelectronics |
|
|
||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | ST1 |
|
|
||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | ST MICROELECTRO |
|
|
||
|
|
TBA820M |
|
ИМС УНЧ 2Вт DIP8 | 1 |
|
|
