Версия для печати

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		FGH40N60SMD		Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт	Fairchild Semiconductor
		FGH40N60SMD		Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт	FAIR
		FGH40N60SMD		Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт		570	213.13
		FGH40N60SMD		Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт	FSC
		FGH40N60SMD		Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт	FAIRCHILD
		FGH40N60SMD		Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт	ONS	636	383.98
		FGH40N60SMD		Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт	ONS-FAIR
		FGH40N60SMD		Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт	ON SEMICONDUCTOR
		FGH40N60SMD		Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт	FAIR/ONS
		FGH40N60SMD		Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 40А, 390Вт	ONSEMICONDUCTOR
		FQP4N90C		N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт	FSC
		FQP4N90C		N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт	FAIR
		FQP4N90C		N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт			139.20
		FQP4N90C		N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт	Fairchild Semiconductor
		FQP4N90C		N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт	FAIRCHILD
		FQP4N90C		N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт	ONS	668	154.13
		FQP4N90C		N-канальный тарнзистор MOSFET, 900В, 4А, 140Вт	ONS-FAIR
		LM317 (TO220)		Линейный стабилизатор напряжения регулируемый 1.25В, 1.5А	TEXAS INSTRUMENTS
		LM317 (TO220)		Линейный стабилизатор напряжения регулируемый 1.25В, 1.5А
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	ST MICROELECTRONICS	4 148	41.53
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	UTC
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8		3	128.52
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	STMicroelectronics
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	ON Semiconductor
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	КИТАЙ
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	ST MICROELECTRO
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	1
		UC3842BN		ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	4-7 НЕДЕЛЬ	244
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный		816	11.96
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ЗПП
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	МИНСК	6 539	16.80
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ЗПП МИНСК
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ИНТЕГРАЛ
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	БРЯНСК	560	8.40
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	RUS
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	КРЕМНИЙ	800	10.21
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ТРАНЗИСТОР	1 920	48.56

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"