|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
B66367-G-X187 |
|
феррит N87ETD49
|
|
|
184.00
|
|
|
|
B66367-G-X187 |
|
феррит N87ETD49
|
EPCOS
|
|
|
|
|
|
B66367-G-X187 |
|
феррит N87ETD49
|
EPCS
|
|
|
|
|
|
DSEK60-02A |
|
FRED 200V 68A(2x34) 125W 35ns TO247AD
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
DSEK60-02A |
|
FRED 200V 68A(2x34) 125W 35ns TO247AD
|
|
|
845.40
|
|
|
|
IR2110 |
|
PBF, H/L драйвер 500В, 2А, DIP14
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IR2110 |
|
PBF, H/L драйвер 500В, 2А, DIP14
|
|
|
170.24
|
|
|
|
IR2110 |
|
PBF, H/L драйвер 500В, 2А, DIP14
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IR2110 |
|
PBF, H/L драйвер 500В, 2А, DIP14
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFP460A |
|
Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFP460A |
|
Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFP460A |
|
Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт
|
|
11
|
462.50
|
|
|
|
IRFP460A |
|
Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFP460A |
|
Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRFP460A |
|
Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRFP460A |
|
Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
|
1 204
|
11.96
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
МИНСК
|
6 539
|
16.80
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
14.50
|
|
|
|
КТ3117А1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный
|
ТРАНЗИСТОР
|
1 920
|
48.56
|
|