К174УН7

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
К174УН7		43.20

Микросхема представляет собой усилитель мощности звуковой частоты с номинальной выходной мощность 4,5 Вт на нагрузку 4 Ом. Аналог микросхемы TBA810AS и LA4420 (функциональный аналог). Микросхема предназначена для применения в телевизионной аппаратуре. Содержит 41 интегральный элемент. Конструктивно оформлена в корпусе типа 201.12.-1, 238.12-2. Масса не более 2,0 и 2,5гр соответственно (ТУ 1986г.).
Не допускается эксплуатация микросхемы без дополнительного теплоотвода при мощности в нагрузке более 0,27 Вт. При температуре корпуса выше 60°С максимальная рассеиваемая мощность рассчитывается по формулеР=(150-Ткорп)/20, Вт (с теплоотводом), где Ткорп - температура на поверхности теплоотвода у основания пластмассового корпуса микросхемы.
Допускается кратковременное (в течении 3 мин) увеличение напряжения питания до 18 В. Подача постоянного напряжения от внешнего источника на выводы 5, 6 и 12 микросхемы недопустима. Выходное сопротивление источника питания должно быть не более 0,05 Ом.
Электрические параметры
1    Номинальное напряжение питания 15 В ± 10% 
2    Выходное напряжение при   Uп = 15 В, fвх = 1 кГц    2,6…5,5 В 
3    Максимальное входное напряжение при Uп = 15 В,   Uвых = 3,16 В, fвх = 1 кГц, Рвых = 2,5 Вт    30…70 мВ 
4    Ток потребления при Uп = 15 В  5…20 мА 
5    Выходная мощность при Rн = 4 Ома  4,5 Вт 
6    Коэффициент гармоник при Uп = 15 В, fвх = 1 кГц: 
Uвых = 4,25 В, Рвых = 4,5 Вт  > 10 % 
Uвых = 0,45 В, Рвых = 0,05 Вт > 2 % 
Uвых = 3,16 В, Рвых = 2,5 Вт  > 2 % 
7    Коэффициент усиления по напряжению при Т= -10…+55°С  45 
8    Входное сопротивление при Uп = 9 В, fвх = 1 кГц  30 кОм 
9    Диапазон рабочих частот  40…20 000 Гц  
10  Коэффициент полезного действия при Pвых = 4,5 Вт  50 %

Предельно допустимые режимы эксплуатации
1    Напряжение питания  13,5…16,5 В 
2    Амплитуда входного напряжения > 2,0В 
3    Постоянное напряжение: 
на выводе 7   > 15 В
на выводе 8  0,3…2,0 В 
4    Сопротивление нагрузки  4 Ом 
5    Тепловое сопротивление:  кристалл-корпус   кристалл-среда    20°С/Вт  100°С/Вт 
6    Температура окружающей среды        -10…+55°С 
7    Температура кристалла  + 85 °С