К174УР2Б
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TCA660 (К174УК1) | 192 | 6.00 | ||||||
| К174ХА9, (TCA640) (1990-97Г) |
|
|
||||||
 |
 |
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А | 3 895 | 1.70 | ||
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А | БОЛОХОВСКИЙ ЗПП |
|
|
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А | БОЛХОВ | 16 | 6.00 | |
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А | RUS |
|
|
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А | БОЛХОВСКИЙ ЗПП | 960 | 70.85 | |
 |
КП303Ж |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ... | 924 | 158.10 | |||
|
|
КП303Ж |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ... | ФОТОН | 36 007 | 20.00 | ||
|
|
КП303Ж |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n ... | АЛЕКСАНДРОВ |
|
|
||
 |
КП307Б | 83 | 61.20 | |||||
|
|
КП307Б | ФОТОН | 78 | 30.00 |
