КД410АМ
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RC0603FR-072K26L | YAGEO | 47 177 |
0.65 >1000 шт. 0.13 |
|||||
| RC0603FR-072K26L | YAGEO | 18 460 |
|
|||||
| RC0603FR-072K26L | 80 |
|
||||||
| TCNT2000 | VISHAY |
|
|
|||||
| TCNT2000 |
|
|
||||||
 |
 |
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | КРЕМНИЙ | 311 | 48.45 | |
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | 682 | 31.50 | ||
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | БРЯНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | МИНСК | 310 | 24.00 | |
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | RUS |
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | ИНТЕГРАЛ |
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | ТРАНЗИСТОР | 39 | 57.07 | |
| ТВС-90ПЦ 8 |
|
|
||||||
| УН-9/18-0,3 УМНОЖИТЕЛЬ | 92 | 280.00 |
