КД522 (1N4148)

Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный 50В, 2мкА, 0,004мкс

Диоды кремниевые, эпитаксиально-планарные, импульсные. Предназначены для применения в импульсных устройствах. Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Для обозначения типа и полярности диодов используются условная маркировка черными кольцевыми полосами на корпусе со стороны положительного (анодного) вывода: 2Д522Б — одной полосой; КД522А — двумя; КД522В — тремя.Масса диода не более 0,15 г.
Основные технические характеристики диода КД522Б:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 50 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 100 мА;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,1 В при Inp 100 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 2 мкА при Uoбp 50 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,004 мкс;
• Сд - Общая емкость: 4 пФ

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1N4007		DC COMPONENTS	94 967	2.04
1N4007		GENERAL SEMICONDUCTOR
1N4007		LITE ON OPTOELECTRONICS
1N4007		PANJIT
1N4007		FSC
1N4007		MCC
1N4007		DIC
1N4007		FAIR
1N4007		PHILIPS
1N4007		MIC	332 489	1.40
1N4007		DIOTEC	77 782	3.22
1N4007		ON SEMICONDUCTOR
1N4007		LD
1N4007		JGD
1N4007		MING SHUN
1N4007		MS
1N4007		QUAN-HONG
1N4007		XR
1N4007		GALAXY
1N4007		COMPACT TECHNOLOGY
1N4007		DC COMPONENTS
1N4007		FAIRCHILD	288
1N4007		GENERAL SEMICONDUCTOR	1
1N4007		LITE ON OPTOELECTRONICS
1N4007		MASTER INSTRUMENT CORPORATION
1N4007		MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
1N4007		ON SEMICONDUCTOR
1N4007		PANJIT	307 692
1N4007		PHILIPS
1N4007		TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
1N4007		YANGJIE SEMICONDUCT
1N4007		Fairchild Semiconductor
1N4007		SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
1N4007		MICROSEMI CORP
1N4007		ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
1N4007		GD
1N4007		JC
1N4007		KINGTRONICS
1N4007		YJ	193 435	1.46
1N4007		DIODES INC.
1N4007		MIG
1N4007		MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
1N4007		MOTOROLA
1N4007		YJ ELE-NIC CORP
1N4007		RECTIFIER
1N4007		EXTRA COM-NTS
1N4007		GALAXY ELECTRICAL
1N4007		GEMBIRD
1N4007		ТОМИЛИНО
1N4007		EXTRA
1N4007		КИТАЙ	800	6.12
1N4007		DIOTEC SEMICONDUCTOR
1N4007		MD
1N4007			251 405	1.92 >100 шт. 0.96
1N4007		ONS-FAIR
1N4007		ONS
1N4007		ELZET
1N4007		GALAXY ME
1N4007		LGE	92	1.92
1N4007		HOTTECH	91 071	1.42
1N4007		KLS	42 400	2.95
1N4007		YS
1N4007		YANGJIE	24 000	1.81
1N4007		YANGJIE (YJ)
1N4007		MC
1N4007		FAIRCHILD
1N4007		WUXI XUYANG
1N4007		KUU	2	1.22 >100 шт. 0.61
1N4007		CHINA	15 317	1.02
1N4007		SUNRISETRON
1N4007		UNKNOWN
1N4007		BILIN
1N4007		KEHE
1N4007		1
1N4007		BL
1N4007		SUNTAN	92 140	2.23
1N4007		TWGMC	84 951	1.10 >100 шт. 0.55
1N4007		CTK
1N4007		JUXING	125	2.36
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	MICRO SEMICONDUCTOR
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	NXP	5 958	1.80 >100 шт. 0.90
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	PHILIPS	78 541	2.00 >100 шт. 1.00
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	FAIR
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	GULF SEMICONDUCTOR
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	LITE ON OPTOELECTRONICS
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	NATIONAL SEMICONDUCTOR
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	RENESAS
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	ROHM
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	VISHAY
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	DC COMPONENTS	847	3.06
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	ЦВТР
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	DIOTEC	174 490	1.63
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	ST MICROELECTRONICS	42 823	1.44 >100 шт. 0.72
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	MIC	22 679	1.14
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	DI
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	БРЕСТ
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	FAIRCHILD	7 906	2.00 >100 шт. 1.00
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	GALAXY
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	FAIRCHILD	2 439
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	GULF SEMICONDUCTOR
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	LITE ON OPTOELECTRONICS
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	NATIONAL SEMICONDUCTOR
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	NXP
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	OTHER	256
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	PHILIPS
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	RENESAS
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	ROHM
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	VISHAY
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	DIOTEC SEMICONDUCTOR
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	Fairchild Semiconductor
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	Micro Commercial Co
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	YANGJIE	4 000	1.66 >100 шт. 0.83
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	КИТАЙ	51 200	1.60 >100 шт. 0.80
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	PHILIPS SEMIC
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	MCC
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	FSC
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В		191 751	5.28
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	KINGTRONICS
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	NEXPERIA
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	SEMTECH	108 445	1.60 >100 шт. 0.80
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	ONS
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	ROHS
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	YJ	289 862	1.04
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	KATO	800
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	SEHTECH
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	ONS-FAIR
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	GALAXY ME
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP	51 612
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	ON SEMICONDUCTOR	1 332
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	KLS
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	SUNTAN
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	HOTTECH	74 475	1.68 >100 шт. 0.84
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	MIG	1 107	1.60 >100 шт. 0.80
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	YANGJIE (YJ)
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	ЦВЕТОТРОН (БРЕСТ)	21 425	1.60 >100 шт. 0.80
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	JANGJIE
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	PANJIT
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	1
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	LGE	62 225	1.06
1N4148	Импульсный диод 150 мА,100В	RUME	148 400	1.36 >100 шт. 0.68
К561ЛН2	6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...			32.00
К561ЛН2	6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	ЗПП
К561ЛН2	6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	МИКРОН
К561ЛН2	6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	МЕЗОН	376	157.44
К561ЛН2	6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	ИНТЕГРАЛ	52	216.48
К561ЛН2	6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	РОДОН
К561ЛН2	6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	ЗПП МИНСК
К561ЛН2	6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	МИНСК
К561ЛН2	6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	ХАБАРОВСК
К561ЛН2	6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	НОВОСИБИРСК
К561ЛН2	6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	RUS
КТ3102АМ	Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц		2 867	3.85
КТ3102АМ	Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц	КРЕМНИЙ	1 928	11.40
КТ3102АМ	Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц	СВЕТЛАНА
КТ3102АМ	Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц	МИНСК	15 650	11.00
КТ3102АМ	Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц	БРЯНСК
КТ3102АМ	Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц	НАЛЬЧИК
КТ3102АМ	Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц	АЛЕКСАНДРОВ
КТ3102АМ	Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц	ТРАНЗИСТОР
КТ3102АМ	Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц	RUS
КТ3102АМ	Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц	ИНТЕГРАЛ
КТ3102АМ	Унверсальный транзистор NPN 50В, 0,1А, 150 Мгц	КРЕМН
КТ 315 А	Транзистор биполярный усилительный NPN, 25V, 0.1 A, hFE = 30 кремниевый ...
КТ 315 А	Транзистор биполярный усилительный NPN, 25V, 0.1 A, hFE = 30 кремниевый ...	RUS