КП103К1
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
КП103Е1 | 3 744 | 12.25 | |||||
|
|
КП103Е1 | ВИННИЦА |
|
|
||||
|
|
КП103Е1 | RUS |
|
|
||||
|
|
КП103Е1 | РОССИЯ |
|
|
||||
|
|
КП103Е1 | ОКТЯБРЬ | 1 280 | 59.04 | ||||
 |
КП302Б1 |
|
96.00 | |||||
 |
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ... | 5 351 | 24.50 | |||
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ... | ФОТОН | 14 640 | 30.00 | ||
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ... | АЛЕКСАНДРОВ |
|
|
||
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ... | АЛЕСАНДРОВ |
|
|
||
|
|
КП303Е |
|
Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ... | RUS |
|
|
||
| КП307Б1 | 804 | 30.60 | ||||||
| КП307Б1 | АЛЕКСАНДРОВ |
|
|
|||||
 |
 |
КР159НТ1Б |
|
Микросхема матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей) | 824 | 30.60 | ||
|
|
|
КР159НТ1Б |
|
Микросхема матрица из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей) | ТОНДИ |
|
|
