| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
ДПМ2-2.4-20 |
|
|
|
|
|
|
 |
|
КД226А |
|
|
|
278
|
17.90
|
|
|
|
|
КД226А |
|
|
НПП ТЭЗ
|
|
|
|
|
|
|
КД226А |
|
|
ТОМИЛИНО
|
|
|
|
|
|
|
КД226А |
|
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КД226А |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД226А |
|
|
СЗТП
|
426
|
26.85
|
|
|
|
|
КД226А |
|
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
 |
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
|
10 614
|
11.04
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
П/П 1
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ЦВЕТОТРОН
|
10 628
|
13.44
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
СЗТП
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ОРБИТА
|
3 520
|
26.86
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
|
КП103М |
|
Полевой транзистор P -канальный 10В, 0.12Вт, 0.13мА
|
|
|
113.52
|
|
|
|
|
КП103М |
|
Полевой транзистор P -канальный 10В, 0.12Вт, 0.13мА
|
ВИННИЦА
|
|
|
|
|
|
|
КП103М |
|
Полевой транзистор P -канальный 10В, 0.12Вт, 0.13мА
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ603Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN
|
|
1 032
|
64.44
|
|
|
|
|
КТ603Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ603Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN
|
ПЛАНЕТА
|
2 220
|
52.50
|
|
|
|
|
КТ603Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
|
КТ603Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN
|
RUS
|
|
|
|
Версия для печати
