| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
|
370
|
93.60
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
DMS
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
SILICONIX
|
18
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
BLUEROCK
|
558
|
36.13
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
|
SFH203 |
|
Фотоприемник инфракрачный
|
OSR
|
|
|
|
|
|
|
SFH203 |
|
Фотоприемник инфракрачный
|
|
|
158.40
|
|
|
|
|
SFH203 |
|
Фотоприемник инфракрачный
|
OSRAM
|
1 600
|
50.78
|
|
|
|
|
SFH203 |
|
Фотоприемник инфракрачный
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
SFH203 |
|
Фотоприемник инфракрачный
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
UC3825N |
|
Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
UC3825N |
|
Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В
|
|
|
305.96
|
|
|
|
|
UC3825N |
|
Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
UC3825N |
|
Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В
|
UNITRODE INTEGRATED CIRCUITS C
|
24
|
|
|
|
|
|
UC3825N |
|
Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
|
UC3825N |
|
Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
|
1 296
|
28.00
|
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
МИНСК
|
15 015
|
32.00
|
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КП501А |
|
Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
|
С2-33Н-1-820К 5% |
|
|
|
|
2.44
|
|
Версия для печати
