| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
L7809CV |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
9 064
|
52.57
|
|
|
|
|
L7809CV |
|
|
|
463
|
42.24
|
|
|
|
|
L7809CV |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
L7809CV |
|
|
МАРОККО
|
|
|
|
|
|
|
L7809CV |
|
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
L7809CV |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
L7809CV |
|
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
L7809CV |
|
|
UMW
|
1 520
|
13.78
|
|
|
|
|
L7809CV |
|
|
YOUTAI
|
2 781
|
11.34
|
|
|
|
|
К10-43А-97.6 1% |
|
Керамический конденсатор 97.6 пФ 50 В
|
|
|
28.80
|
|
|
|
|
К174УР3 |
|
|
|
391
|
12.32
|
|
|
|
|
К174УР3 |
|
|
ОРБИТА
|
|
|
|
|
|
|
К174УР3 |
|
|
ГРАВИТОН
|
933
|
12.00
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
КРЕМНИЙ
|
311
|
48.45
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
|
902
|
31.50
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
РК379ММ-6ВТ-70.3125МГЦ |
|
|
|
|
134.40
|
|
Версия для печати
