КТ8115Б

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
КТ8115Б		63.36
КТ8115Б (ИНТЕГРАЛ)	52	81.60

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Аналоги:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
TIP126	Транзистор биполярный — составной PNP-Darl 80V 5A 65W	FAIR
TIP126	Транзистор биполярный — составной PNP-Darl 80V 5A 65W	ST MICROELECTRONICS	2	11.63
TIP126	Транзистор биполярный — составной PNP-Darl 80V 5A 65W	ON SEMICONDUCTOR
TIP126	Транзистор биполярный — составной PNP-Darl 80V 5A 65W	FSC
TIP126	Транзистор биполярный — составной PNP-Darl 80V 5A 65W			28.44
TIP126	Транзистор биполярный — составной PNP-Darl 80V 5A 65W	FAIRCHILD
TIP126	Транзистор биполярный — составной PNP-Darl 80V 5A 65W	FAIRCHILD
TIP126	Транзистор биполярный — составной PNP-Darl 80V 5A 65W	ON SEMICONDUCTOR	736
TIP126	Транзистор биполярный — составной PNP-Darl 80V 5A 65W	ST MICROELECTRONICS SEMI	15
TIP126	Транзистор биполярный — составной PNP-Darl 80V 5A 65W	STMicroelectronics
TIP126	Транзистор биполярный — составной PNP-Darl 80V 5A 65W	Fairchild Semiconductor
TIP126	Транзистор биполярный — составной PNP-Darl 80V 5A 65W	ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
TIP126	Транзистор биполярный — составной PNP-Darl 80V 5A 65W	MOTOROLA	72
TIP126	Транзистор биполярный — составной PNP-Darl 80V 5A 65W	РМС

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1Д507А	Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ		152	4.20
1Д507А	Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ	АЛЕКСАНДРОВ	2 512	4.00
1Д507А	Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ	RUS
1Д507А	Диоды германиевые микросплавные 30В, 50мкА, 0.1мкс, 0.8пФ	ЭЛЕКС	976	15.30
КП302БМ				119.20
КП302БМ		ВИННИЦА
КП302БМ		ПУЛЬСАР
КП302БМ		RUS
КП302БМ		ОКТЯБРЬ
КП303Б	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...		2 312	51.00
КП303Б	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...	ФОТОН	880	118.08
КП303Б	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...	АЛЕКСАНДРОВ
КП303Б	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...	АЛЕСАНДРОВ
КП303Б	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n ...	RUS
КТ368А9	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный			72.00
КТ368А9	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	СВЕТЛАНА
КТ368А9	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	АЛЕКСАНДРОВ
КТ368А9	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК
КТ368А9	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ503Д			1 892	11.72
КТ503Д		КРЕМНИЙ	11	9.84
КТ503Д		МИНСК	348	14.00
КТ503Д		АЛЕКСАНДРОВ
КТ503Д		БРЯНСК	4 000	16.60
КТ503Д		НАЛЬЧИК
КТ503Д		ИНТЕГРАЛ	826	14.79
КТ503Д		ЭЛЕКС	38	70.85