| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
KBU6K |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) =6A, VDC,В =800V, VF,В =1V, IR,мкА =5@25C
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
KBU6K |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) =6A, VDC,В =800V, VF,В =1V, IR,мкА =5@25C
|
DC COMPONENTS
|
4 661
|
61.38
|
|
|
|
|
KBU6K |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) =6A, VDC,В =800V, VF,В =1V, IR,мкА =5@25C
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
|
KBU6K |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) =6A, VDC,В =800V, VF,В =1V, IR,мкА =5@25C
|
|
139
|
51.04
|
|
|
|
|
KBU6K |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) =6A, VDC,В =800V, VF,В =1V, IR,мкА =5@25C
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
KBU6K |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) =6A, VDC,В =800V, VF,В =1V, IR,мкА =5@25C
|
FAIRCHILD
|
51
|
|
|
|
|
|
KBU6K |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) =6A, VDC,В =800V, VF,В =1V, IR,мкА =5@25C
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
KBU6K |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) =6A, VDC,В =800V, VF,В =1V, IR,мкА =5@25C
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
 |
КТ827В |
|
Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN
|
КРЕМНИЙ
|
4
|
1 326.00
|
|
|
|
|
КТ827В |
|
Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN
|
|
128
|
192.50
|
|
|
|
|
КТ827В |
|
Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN
|
ЭЛЕКТРОПРИБОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ827В |
|
Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN
|
ФРЯЗИНО
|
|
|
|
|
|
|
КТ827В |
|
Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN
|
ЭЛЕКТРОНПРИБОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
|
1 488
|
15.84
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
80
|
81.60
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
БРЯНСК
|
298
|
34.40
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ФРЯЗИНО
|
1 017
|
16.00
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭЛЕКТРОНПРИБОР
|
400
|
66.30
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭДЬТАВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭЛЬТАВ
|
300
|
16.00
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
УЛЬЯНОВСК
|
120
|
16.00
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМНИЙ ЭЛ
|
116
|
18.31
|
|
|
|
|
КУ202К1 |
|
|
|
|
76.80
|
|
|
|
|
КУ202К1 |
|
|
СЗТП
|
8
|
132.60
|
|
|
|
|
КУ202К1 |
|
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
|
КУ202М |
|
Универсальный встраиваемый сетевой источник питания серии S. Тиристор кремниевый, ...
|
|
92
|
38.72
|
|
|
|
|
КУ202М |
|
Универсальный встраиваемый сетевой источник питания серии S. Тиристор кремниевый, ...
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
|
КУ202М |
|
Универсальный встраиваемый сетевой источник питания серии S. Тиристор кремниевый, ...
|
СТАРТ
|
|
|
|
|
|
|
КУ202М |
|
Универсальный встраиваемый сетевой источник питания серии S. Тиристор кремниевый, ...
|
СЗТП
|
26
|
102.00
|
|
|
|
|
КУ202М |
|
Универсальный встраиваемый сетевой источник питания серии S. Тиристор кремниевый, ...
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
Версия для печати
