| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
1SMB24AT3G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1SMB24AT3G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
1SMB24AT3G |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1SMB24AT3G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
B019BK |
|
|
GAINTA
|
60
|
3 847.98
|
|
|
|
|
B019BK |
|
|
|
|
|
|
|
|
 |
MMBT2907ALT1G |
|
Полевой транзистор SMD
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2907ALT1G |
|
Полевой транзистор SMD
|
|
|
3.56
|
|
|
|
|
MMBT2907ALT1G |
|
Полевой транзистор SMD
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2907ALT1G |
|
Полевой транзистор SMD
|
ON SEMICONDUCTOR
|
5 858
|
|
|
|
|
|
MMBT2907ALT1G |
|
Полевой транзистор SMD
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
MMBT2907ALT1G |
|
Полевой транзистор SMD
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
 |
|
TIP102 |
|
Транзистор биполярный NPN Darl, 100V, 8A, 80W, B 1000
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
TIP102 |
|
Транзистор биполярный NPN Darl, 100V, 8A, 80W, B 1000
|
ST MICROELECTRONICS
|
832
|
17.80
|
|
|
|
|
TIP102 |
|
Транзистор биполярный NPN Darl, 100V, 8A, 80W, B 1000
|
HARRIS
|
|
|
|
|
|
|
TIP102 |
|
Транзистор биполярный NPN Darl, 100V, 8A, 80W, B 1000
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
TIP102 |
|
Транзистор биполярный NPN Darl, 100V, 8A, 80W, B 1000
|
|
|
53.16
|
|
|
|
|
TIP102 |
|
Транзистор биполярный NPN Darl, 100V, 8A, 80W, B 1000
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
TIP102 |
|
Транзистор биполярный NPN Darl, 100V, 8A, 80W, B 1000
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
TIP102 |
|
Транзистор биполярный NPN Darl, 100V, 8A, 80W, B 1000
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
TIP102 |
|
Транзистор биполярный NPN Darl, 100V, 8A, 80W, B 1000
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
TIP102 |
|
Транзистор биполярный NPN Darl, 100V, 8A, 80W, B 1000
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
TIP102 |
|
Транзистор биполярный NPN Darl, 100V, 8A, 80W, B 1000
|
LGE
|
|
|
|
|
|
|
КП303А |
|
Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
|
|
|
57.60
|
|
|
|
|
КП303А |
|
Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
|
ФОТОН
|
16 704
|
24.00
|
|
|
|
|
КП303А |
|
Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КП303А |
|
Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КП303А |
|
Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
|
ЭЛЕКС
|
532
|
158.10
|
|
Версия для печати
