Версия для печати
Технические характеристики MSP430F249TPM

Корпус (размер)	64-LQFP
Рабочая температура	-40°C ~ 105°C
Тип осцилятора	Internal
Преобразователи данных	A/D 8x12b
Напряжение источника (Vcc/Vdd)	1.8 V ~ 3.6 V
Размер памяти	2K x 8
Тип программируемой памяти	FLASH
Размер программируемой памяти	60KB (60K x 8 + 256B)
Число вводов/выводов	48
Периферия	Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT
Подключения	I²C, IrDA, LIN, SCI, SPI, UART/USART
Скорость	16MHz
Размер ядра	16-Bit
Процессор	RISC
Серия	MSP430
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Микроконтроллеры

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		CD4011BE		Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс	ST MICROELECTRONICS
		CD4011BE		Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс	TEXAS INSTRUMENTS
		CD4011BE		Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс		54	57.60
		CD4011BE		Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс	TEXAS INSTRUMENTS
		CD4011BE		Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс	TEXAS
		CD4011BE		Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс	TEXAS INSTRUMEN
		CD4011BE		Стандартная логика 2И-НЕ, 3...18В, 250нс	HGSEMI	2 748	15.65
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А		40 080	4.03
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	КИТАЙ
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	HOTTECH	208 178	3.34
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INFINEON
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	HUASHUO	26 232	6.07
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	KLS
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	YOUTAI	151 377	3.29
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	UMW	8 800	2.95
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	SUNTAN	30 312	9.86
		OP496GSZ		4 Операционный усилитель бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, ...	ANALOG DEVICES	63	491.66
		OP496GSZ		4 Операционный усилитель бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, ...	ANALOG
		OP496GSZ		4 Операционный усилитель бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, ...
		OP496GSZ		4 Операционный усилитель бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, ...	Analog Devices Inc
		OP496GSZ		4 Операционный усилитель бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, ...	ANALOG DEVICES
		OP496GSZ		4 Операционный усилитель бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, ...	США
		OP496GSZ		4 Операционный усилитель бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, ...	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		OP496GSZ		4 Операционный усилитель бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, ...	AD1
		OP496GSZ		4 Операционный усилитель бипл., вх./вых. размах до шин питания, 0,45 МГц, 0,3 В/мкс, ...	NO NAME
		P4KE6.8A
		P4KE6.8A			MASTER INSTRUMENT CO
		P4KE6.8A			DC COMPONENTS
		P4KE6.8A			OTHER
		P4KE6.8A			Littelfuse Inc
		P4KE6.8A			LTL
		P4KE6.8A			LITTELFUSE
		КТ361Г		Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный		311 557	3.52
		КТ361Г		Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный	ТОМСК	8	2.00
		КТ361Г		Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный	КВАРЦИТ
		КТ361Г		Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный	RUS
		КТ361Г		Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный	НАЛЬЧИК
		КТ361Г		Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный	ДАЛЕКС
		КТ361Г		Транзистор кремниевый малой мощности структуры P-N-P высокочастотный	НИИПП ТОМСК	5 200	35.42

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"