1N5231BNL

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1N5258B		GENERAL SEMICONDUCTOR
1N5258B		ON SEMICONDUCTOR
1N5258B		PHILIPS
1N5258B
1N5258B		MOTOROLA
1N5258B		MOTOROLA	155
1N5258B		ON SEMICONDUCTOR	161 187
1N5258B		PHILIPS
1N5258B		Fairchild Semiconductor
1N5258B
2KBP10M	Диодный мост (Vr=1000 Vdc (700 Vac), I=2.0А)	FSC
2KBP10M	Диодный мост (Vr=1000 Vdc (700 Vac), I=2.0А)	FAIR
2KBP10M	Диодный мост (Vr=1000 Vdc (700 Vac), I=2.0А)	FAIRCHILD
2KBP10M	Диодный мост (Vr=1000 Vdc (700 Vac), I=2.0А)	FAIRCHILD
2KBP10M	Диодный мост (Vr=1000 Vdc (700 Vac), I=2.0А)	Fairchild Semiconductor
2KBP10M	Диодный мост (Vr=1000 Vdc (700 Vac), I=2.0А)
2KBP10M	Диодный мост (Vr=1000 Vdc (700 Vac), I=2.0А)	GENERAL INSTRUMENT
OP275GP	Сдвоенный операционный усилитель 9МГц, Uш<6нВ/ Гц, DIP8,-40°C- +85°C	TEXAS INSTRUMENTS
OP275GP	Сдвоенный операционный усилитель 9МГц, Uш<6нВ/ Гц, DIP8,-40°C- +85°C	ANALOG DEVICES
OP275GP	Сдвоенный операционный усилитель 9МГц, Uш<6нВ/ Гц, DIP8,-40°C- +85°C			42.52
КС 620 А		RUS
КС 630А			249	80.00