Версия для печати
Технические характеристики 2N3906BU

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 10mA, 1V
Power - Max	625mW
Frequency - Transition	250MHz
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Корпус	TO-92-3
Product Change Notification	Fe Wire Change 12/Oct/2007

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N3904BU			FAIR
		2N3904BU					6.00
		2N3904BU			FAIRCHILD
		2N3904BU			FAIRCHILD
		2N3904BU			Fairchild Semiconductor
		2N3904BU			FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
		2N3904BU			ONS
		2N3904BU			ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)		2 096	17.56
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	1 693	12.30
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ	1 404	10.25
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИМОРТ
		S8050D
		КТ3107Л		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p		1 383	6.20
		КТ3107Л		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p	КРЕМНИЙ	532	12.24
		КТ3107Л		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3107Л		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p	БРЯНСК	4 192	12.40
		КТ3107Л		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p	RUS
		КТ3107Л		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p	РИГА
		КТ3107Л		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p	ИНТЕГРАЛ
		КТ3107Л		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p	МИНСК
		КТ3107Л		Транзистор кремниевый, усилительный маломощный высокочастотный, структуры p-n-p	ЭЛЕКС
		КТ630Е				10	264.00
		КТ630Е			КРЕМНИЙ	40	571.20
		КТ630Е			БРЯНСК
		КТ630Е			ГРАВИТОН

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"