2N5550


Транзистор NPN (Uce=140V, Ic=0.6A, P=625mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -55 to +150C)

Купить 2N5550 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
2N5550
Версия для печати

Технические характеристики 2N5550

Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
Transistor TypeNPN
Current - Collector (Ic) (Max)600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)140V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic250mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce60 @ 10mA, 5V
Power - Max625mW
Frequency - Transition300MHz
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
КорпусTO-92-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

2N5550

Amplifier Transistors NPN Silicon

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

2N5550 datasheet
68.35Kb
8стр.

Аналоги:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   FAI/QTC Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   ON SEMICONDUCTOR 800 15.30 
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   MOTOROLA Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   NATIONAL SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   PHILIPS Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   TOSHIBA Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   DC COMPONENTS 6 851 6.19 
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   FSC Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   UTC Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   DIOTEC 4 577 3.57 
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   МИНСК Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   MOTOROLA Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   OTHER Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   NS Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   KEC Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)     24 000 1.36 
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   TOSHIBA Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   --- Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   NO TRADEMARK Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   MULTICOMP Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   HOTTECH 3 082 2.14 
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   KLS Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   CHINA 9 600 1.42 
2N5551 Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)   ZH Заказ радиодеталей цена радиодетали
    КТ6117Б       Заказ радиодеталей 13.60 
    КТ6117Б     МИНСК Заказ радиодеталей цена радиодетали
    КТ6117Б     ИНТЕГРАЛ Заказ радиодеталей цена радиодетали
    КТ6127И     АЛЕКСАНДРОВ Заказ радиодеталей цена радиодетали
    КТ6127И       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    КТ6127И     ЭЛЕКС (АЛЕКСАНДРОВ) 988 20.00 

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    CJ78L12     JIANGSU CHANJIANG ELECTRONICS 431 цена радиодетали
    CJ78L12     CJ Заказ радиодеталей цена радиодетали
    CJ78L12       Заказ радиодеталей цена радиодетали
MCR100-6 Тиристор 400V, 0.8A, Igt=0.2mA   ON SEMICONDUCTOR 52 33.15 
MCR100-6 Тиристор 400V, 0.8A, Igt=0.2mA     Заказ радиодеталей 19.48 
MCR100-6 Тиристор 400V, 0.8A, Igt=0.2mA   UTC Заказ радиодеталей цена радиодетали
MCR100-6 Тиристор 400V, 0.8A, Igt=0.2mA   OTHER 83 цена радиодетали
MCR100-6 Тиристор 400V, 0.8A, Igt=0.2mA   ONS Заказ радиодеталей цена радиодетали
MCR100-6 Тиристор 400V, 0.8A, Igt=0.2mA   CJ Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход