2N5550BU


2N5550BU (заказ)
2N5550BU

Технические характеристики 2N5550BU

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Transistor TypeNPN
Current - Collector (Ic) (Max)600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)140V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic250mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce60 @ 10mA, 5V
Power - Max625mW
Frequency - Transition300MHz
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
КорпусTO-92-3
Product Change NotificationFe Wire Change 12/Oct/2007
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru