Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Transistor Type | NPN |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 110 @ 2mA, 5V |
Power - Max | 300mW |
Frequency - Transition | 300MHz |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | SOT-23-3 |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
FSC
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
AGILENT TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
HEWLETT PACKARD
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
Lite-On Inc
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
FAIRCHILD
|
1 451
|
91.80
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
Avago Technologies US Inc
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
Fairchild Optoelectronics Group
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
EVLT
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
EVL
|
331
|
23.78
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
ISO
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
LIT
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
EVERLIGHT
|
2
|
43.15
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
|
1 746
|
24.74
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
LITE-ON
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
TOSHIBA
|
266
|
91.80
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
ERL
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
ONS
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
0.00
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
1
|
|
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
CT-MICRO
|
108
|
29.47
|
|
|
|
6N137 |
|
Высокоскоростной одноканальный оптрон ТТД совместимый 2500В, 10 Mbit/s, 20нс
|
EVERLLIGHT
|
|
|
|
|
|
BC858C |
|
Транзистор PNP 30V 0,1A 0,25W B:420-800 SOT
|
|
144 280
|
1.56
>100 шт. 0.78
|
|
|
|
BC858C |
|
Транзистор PNP 30V 0,1A 0,25W B:420-800 SOT
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC858C |
|
Транзистор PNP 30V 0,1A 0,25W B:420-800 SOT
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC858C |
|
Транзистор PNP 30V 0,1A 0,25W B:420-800 SOT
|
DIOTEC
|
19 391
|
1.44
|
|
|
|
BC858C |
|
Транзистор PNP 30V 0,1A 0,25W B:420-800 SOT
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC858C |
|
Транзистор PNP 30V 0,1A 0,25W B:420-800 SOT
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC858C |
|
Транзистор PNP 30V 0,1A 0,25W B:420-800 SOT
|
MCC
|
3
|
1.50
>100 шт. 0.75
|
|
|
|
BC858C |
|
Транзистор PNP 30V 0,1A 0,25W B:420-800 SOT
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC858C |
|
Транзистор PNP 30V 0,1A 0,25W B:420-800 SOT
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC858C |
|
Транзистор PNP 30V 0,1A 0,25W B:420-800 SOT
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC858C |
|
Транзистор PNP 30V 0,1A 0,25W B:420-800 SOT
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BC858C |
|
Транзистор PNP 30V 0,1A 0,25W B:420-800 SOT
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC858C |
|
Транзистор PNP 30V 0,1A 0,25W B:420-800 SOT
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC858C |
|
Транзистор PNP 30V 0,1A 0,25W B:420-800 SOT
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC858C |
|
Транзистор PNP 30V 0,1A 0,25W B:420-800 SOT
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC858C |
|
Транзистор PNP 30V 0,1A 0,25W B:420-800 SOT
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
BC858C |
|
Транзистор PNP 30V 0,1A 0,25W B:420-800 SOT
|
HOTTECH
|
33 788
|
1.15
|
|
|
|
BC858C |
|
Транзистор PNP 30V 0,1A 0,25W B:420-800 SOT
|
YJ
|
18 002
|
1.28
|
|
|
|
IRFBC40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFBC40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFBC40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFBC40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W
|
|
|
99.44
|
|
|
|
IRFBC40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFBC40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFBC40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W
|
ИНДОНЕЗИЯ
|
|
|
|
|
|
IRFBC40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
IRFBC40 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 6.2A, 125W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
ZPD8.2 |
|
|
ITT
|
|
|
|
|
|
ZPD9.1 |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
ZPD9.1 |
|
|
|
|
3.36
|
|
|
|
ZPD9.1 |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
ZPD9.1 |
|
|
GENERAL
|
7 784
|
2.00
|
|