Версия для печати
Технические характеристики BCP53-16T1G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 150mA, 2V
Power - Max	1.5W
Frequency - Transition	50MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-261-4, TO-261AA
Корпус	SOT-223
Product Change Notification	Wire Change 08/Jun/2009

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		CPC1030NTR			CLARE
		CPC1030NTR			CPC
		CPC1030NTR			CLARE CORP.
		CPC1030NTR			IXYS
		CPC1030NTR			СИНГАПУР
		CPC1030NTR				780	87.95
		CPC1030NTR			IXYS CORPORATION
		CPC1030NTR			LITTELFUSE	49	104.04
		CPC1030NTR			4-7 НЕДЕЛЬ	464
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	DC COMPONENTS	7 503	11.79
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S		2 608	3.41
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YJ	154 752	4.43
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	MIC
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KINGTRON
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	КИТАЙ	52	22.68
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KINGTRONICS
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KLS	4 437	10.33
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KOME	595	4.88
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	LGE
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	HOTTECH	128 844	3.75
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGJIE	20 576	5.12
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGJIE (YJ)
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	SEP	8	2.64
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	ASEMI	6	5.91
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	JSCJ	280	8.72
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	KUU	47 925	1.89
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	RUME	26 400	2.43
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	TRR	38 400	2.43
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	JSMICRO	61 248	3.43
		DB107S		Диодный мост 1А 1000В DB-1S	YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO	8	7.32
		IR2101		PBF, H/L прямой драйвер 600В, 130мА, DIP8	INTERNATIONAL RECTIFIER	80	230.58
		IR2101		PBF, H/L прямой драйвер 600В, 130мА, DIP8			119.28
		IR2101		PBF, H/L прямой драйвер 600В, 130мА, DIP8	ТАИЛАНД
		IR2101		PBF, H/L прямой драйвер 600В, 130мА, DIP8	INFINEON
		IR2101		PBF, H/L прямой драйвер 600В, 130мА, DIP8	1
		IR2101		PBF, H/L прямой драйвер 600В, 130мА, DIP8	4-7 НЕДЕЛЬ	505
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	ON SEMICONDUCTOR
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	VISHAY
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	ONS	985	99.46
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A			76.64
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	ON SEMICONDUCTOR	82
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	YJ
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	ON SEMICONDUCTO
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	ONSEMICONDUCTOR
		MUR860G		Ультрабыстрый диод 600V 8A	1
		STB9NK50ZT4			ST MICROELECTRONICS
		STB9NK50ZT4			ST MICROELECTRONICS SEMI
		STB9NK50ZT4				1	113.40
		STB9NK50ZT4			STMicroelectronics

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"