FDB28N30TM


300v n-channel mosfet

Купить FDB28N30TM ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
FDB28N30TM
Версия для печати

Технические характеристики FDB28N30TM

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияUniFET™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs129 mOhm @ 14A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)300V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C28A
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs50nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds2250pF @ 25V
Power - Max250W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусD²PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FDB28N30TM (MOSFET)

300V N-Channel MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FDB28N30TM datasheet
314.6 Кб
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход