FDP15N65

Версия для печати

Технические характеристики FDP15N65

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	UniFET™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	440 mOhm @ 7.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	15A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	63nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3095pF @ 25V
Power - Max	250W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FDP15N65 (MOSFET)

650V N-Channel MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FDP15N65 datasheet
490.6 Кб