FQH8N100C

Версия для печати

Технические характеристики FQH8N100C

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	QFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.45 Ohm @ 4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000V (1kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	8A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	70nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3220pF @ 25V
Power - Max	225W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FQH8N100C (MOSFET)

1000V N-Channel MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FQH8N100C datasheet
991.5 Кб