FQP18N20V2

Версия для печати

Технические характеристики FQP18N20V2

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	QFET™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	140 mOhm @ 9A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	18A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	26nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1080pF @ 25V
Power - Max	123W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FQP18N20V2 (MOSFET)

200V N-Channel MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FQP18N20V2 datasheet
793.1 Кб