FQPF10N20

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
FQPF10N20 (FAIRCHILD)	12	73.05

Версия для печати

Технические характеристики FQPF10N20

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	QFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	360 mOhm @ 3.4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	6.8A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	18nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	670pF @ 25V
Power - Max	40W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3 Full Pack
Корпус	TO-220F

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FQPF10N20 (N-канальные транзисторные модули)

200v N-channel Mosfet

Производитель:
Fairchild Semiconductor
//www.fairchildsemi.com

FQPF10N20 datasheet
768.61Kb
8стр.