FQPF2N60
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | QFET™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7 Ohm @ 800mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.6A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 350pF @ 25V |
| Power - Max | 28W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 Full Pack |
| Корпус | TO-220F |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
FQP2N60C 600V N-Channel MOSFET Также в этом файле: FQPF2N60C
Производитель:
|
