FQPF2N60C

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
FQPF2N60C		108.00

Версия для печати

Технические характеристики FQPF2N60C

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	QFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.7 Ohm @ 1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	12nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	235pF @ 25V
Power - Max	23W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3 Full Pack
Корпус	TO-220F
Product Change Notification	Passivation Material Change 14/May/2008

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FQP2N60C

600V N-Channel MOSFET

Также в этом файле: FQPF2N60C

Производитель:
Fairchild Semiconductor
//www.fairchildsemi.com

FQPF2N60C datasheet
831.1Kb
10стр.