Версия для печати
Технические характеристики H11A817S
Vce Saturation (Max) 200mV
Тип выхода Transistor
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 4-SMD
Current - DC Forward (If) 50mA
Ток выходной / канал 50mA
Напряжение выходное 70V
Current Transfer Ratio (Max) 600% @ 5mA
Current Transfer Ratio (Min) 50% @ 5mA
Voltage - Isolation 5300Vrms
Тип входа DC
Количество каналов 1
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Output Type Transistor
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
H11A817 4-PIN PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS
Также в этом файле:
H11A817.S, H11A817.SD
Производитель:Fairchild Semiconductor //www.fairchildsemi.com
ПГ3-5П6НВ Коммутируемый ток / напряжение от 1?10-4 до 0,5 А / от 0,05 до 250 В Сопротивление контактов / изоляции 0,02 Ом / 1000 МОм Количество коммутаций 12500... 454.08 руб Купить
Si7949DP Dual n-channel 60-v (d-s) mosfet Купить
STB16NS25 N-channel 250v - 0.23w - 16a d2pak mesh overlay™ mosfet Купить
Версия для печати
