HUF75623S3ST


Купить HUF75623S3ST ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
HUF75623S3ST
Версия для печати

Технические характеристики HUF75623S3ST

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияUltraFET™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs64 mOhm @ 22A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C22A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs52nC @ 20V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds790pF @ 25V
Power - Max85W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусD²PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

HUF75623P3 (N-канальные транзисторные модули)

22A, 100V, 0.064 Ohm, N-Channel, UltraFETand#174; Power MOSFETs Packaging

Также в этом файле: HUF75623S3ST

Производитель:
Fairchild Semiconductor
//www.fairchildsemi.com

HUF75623S3ST datasheet
200.19Kb
10стр.
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход