K6R4008V1D-KI10
SRAM 512K x 8, 3.3V, 10ns
|
| Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
|
K6R4008V1D-KI10 |
 |
427.36
|
|
|
Версия для печати
Технические характеристики K6R4008V1D-KI10
| Производитель | SAMSUNG ELECTRONICS |
| Количество в упаковке | 1000 шт. |
| Вес | 2.200 г |
| Объём памяти | 4096 kbit |
| Cell Resistance @ Illuminance | 512x8 |
| Center / Cutoff Frequency | 10 нс |
| Напряжение питания | 3…3.6 В |
| Корпус (размер) | SOJ36-400 |
| Рабочая температура | -40...85 °C |
| Температура хранения | -65...150 °C |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
K6R4016C1D (Асинхронная SRAM (4 Мб))
256kx16 Bit High Speed Static Ram (5.0v Operating) . Operated At Commercial and Industrial Temperature Ranges
Также в этом файле:
K6R4008V1D-KI10
Производитель:
Samsung semiconductor
|
