Версия для печати
Технические характеристики LP2951CMX

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Топология регулятора	Positive Adjustable
Напряжение выходное	1.26 V ~ 28 V
Напряжение входное	Up to 30V
Число регуляторов	1
Ток выходной	100mA
Ток минимальный предел тока	110mA
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOP

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

Регуляторы напряжения

 » 

Регуляторы напряжения линейные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	FAI/QTC
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	LITE ON OPTOELECTRONICS
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	LIT	21 847	16.01
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	VISHAY
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	FAIR
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	COSMO
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	LITE-ON	1 945	24.60
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	QTC
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	AGILENT TECHNOLOGIES
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	FAIRCHILD
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	FAIRCHILD
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	LITE ON OPTOELECTRONICS
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	QT OPTOELECTRONICS
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	QTC COMPONENTS
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	Lite-On Inc
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	Vishay/Semiconductors
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	Fairchild Optoelectronics Group
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	Avago Technologies US Inc
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	ISOCOM
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	EVERLIGHT
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	EVLT
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	VISHAY	71
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	EVERLIGHT	2 036	24.00
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	FC
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	LTV
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	MOTOROLA
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В		615	42.24
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	EVERLLIGHT	5 120	28.54
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	ONS-FAIR
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	EL
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	TOS
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	КИТАЙ
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	YOUTAI	7 432	12.11
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	EVL	2 873	14.21
		4N35		Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В	TOSHIBA	1	21.36
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	FAIR
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	INFINEON
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	NXP
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	PHILIPS	800	9.18
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	DC COMPONENTS	13 768	2.65
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	FAIRCHILD
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	FAIRCHILD	1 511
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR	1 245
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	NXP	9 632
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	PHILIPS	3 040
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	MCC
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	Fairchild Semiconductor
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	КИТАЙ
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	INFINEON TECH
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	GALAXY
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	PHILIPS SEMIC
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	DIOTEC	78	2.56
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	ONS
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)		52 874	1.02
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	MICRO COMMERCIA
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	ONS-FAIR
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	NEXPERIA
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	GALAXY ME
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	HOTTECH	58 845	1.21
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	PHI
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	LRC
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	NEX-NXP
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	PANJIT	32 000
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	KLS	40	1.81
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	YOUTAI	5 812	1.71
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	JSCJ	34 316	1.21
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	YJ	331 037	1.40
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	YANGJIE	24 000	1.31
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	MIC	38 400	1.19
		BAS21		Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)	NSP	5 513	2.00
		BZX84-C5V1		Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V	NXP
		BZX84-C5V1		Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V	PHILIPS
		BZX84-C5V1		Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V	NXP	6 846
		BZX84-C5V1		Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V	PHILIPS	30 963
		КР293КП3А		Двунаправленное сдвоенное МОП-реле с низким сопротивлением 60В/5Ом, корпус DIP8		366	192.50
		КР293КП3А		Двунаправленное сдвоенное МОП-реле с низким сопротивлением 60В/5Ом, корпус DIP8	ПРОТОН	5 425	240.00
		КР293КП3А		Двунаправленное сдвоенное МОП-реле с низким сопротивлением 60В/5Ом, корпус DIP8	ИЗЛУЧАТЕЛЬ
		КР293КП3А		Двунаправленное сдвоенное МОП-реле с низким сопротивлением 60В/5Ом, корпус DIP8	ПРОТОН
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц		12 193	39.38
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ТРАНЗИСТОР
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	МИНСК	12 889	44.00
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ТРАНЗИСТОР МИНСК
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ЗПП МИНСК
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ИНТЕГРАЛ	1 760	108.24
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	RUS
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	РОССИЯ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"