MC33025DWG
|
|
Версия для печати
| Корпус (размер) | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Рабочая температура | -40°C ~ 105°C |
| Isolated | Да |
| Cuk | Нет |
| Divider | Нет |
| Doubler | Нет |
| Inverting | Нет |
| Flyback | Нет |
| Buck | Нет |
| Boost | Нет |
| Напряжение питания | 10 V ~ 30 V |
| Duty Cycle | 45% |
| Частота -макс. | 1MHz |
| Число выходов | 2 |
| PWM Type | Voltage/Current Mode |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2KBP08M-E4/51 ДИОДНЫЙ МОСТ 800V 2A | VISHAY |
|
|
|||||
| BSS123LT1G |
|
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2 | ON SEMICONDUCTOR | 367 | 7.35 | |||
| BSS123LT1G |
|
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2 | ONS | 11 816 | 6.53 | |||
| BSS123LT1G |
|
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2 |
|
|
||||
| BSS123LT1G |
|
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2 | ON SEMICONDUCTOR | 48 |
|
|||
| BSS123LT1G |
|
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2 | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| BSS123LT1G |
|
Тип монт. - smd, VDS, В - 100, ID, А - 0,2, Ptot, Вт — 0,2 | LRC |
|
|
|||
| MBRS3200T3G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MBRS3200T3G | VISHAY |
|
|
|||||
| MBRS3200T3G | ONS |
|
|
|||||
| MBRS3200T3G | 4 | 116.00 | ||||||
| MBRS3200T3G | ON SEMICONDUCTOR | 1 760 |
|
|||||
| MBRS3200T3G | TOKMAS | 5 500 | 5.99 | |||||
| MBRS3200T3G | FUXIN | 7 556 | 3.76 | |||||
| MBRS3200T3G | ONSEMI |
|
|
|||||
| STF23NM50N | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| STF23NM50N |
|
|
