| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 750mV @ 50mA, 500mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 2V |
| Power - Max | 225mW |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Product Change Notification | Wire Change 08/May/2007 Possible Adhesion Issue 11/July/2008 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
AP40T03GP |
|
Тип транзистора полевой, МОП n-канальный 30В, 28А, 31,25Вт
|
APEC
|
|
|
|
|
|
|
AP40T03GP |
|
Тип транзистора полевой, МОП n-канальный 30В, 28А, 31,25Вт
|
|
|
306.00
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LESHAN RADIO COMPANY
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
1
|
1.67
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
7 614
|
2.66
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LESHAN RADIO COMPANY, LTD
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
11 847
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMI
|
|
|
|
|
|
|
BAV99LT1G |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FUXIN
|
40 091
|
1.01
|
|
|
|
|
BIT3713 |
|
|
BITEK
|
|
|
|
|
|
|
BIT3713 |
|
|
BIT
|
|
|
|
|
|
|
BIT3713 |
|
|
|
|
282.80
|
|
|
|
|
MMBT4401LT1G |
|
(SMD) SOT23
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT4401LT1G |
|
(SMD) SOT23
|
|
|
24.00
|
|
|
|
|
MMBT4401LT1G |
|
(SMD) SOT23
|
ONS
|
1
|
5.90
|
|
|
|
|
MMBT4401LT1G |
|
(SMD) SOT23
|
ON SEMICONDUCTOR
|
130
|
|
|
|
|
|
MMBT4401LT1G |
|
(SMD) SOT23
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
MMBT4401LT1G |
|
(SMD) SOT23
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
MMBT4401LT1G |
|
(SMD) SOT23
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
TVR10391KSY |
|
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
TVR10391KSY |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
TVR10391KSY |
|
|
THINKING
|
|
|
|
Версия для печати
