Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Transistor Type | NPN |
Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 300V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 2mA, 20mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 30mA, 10V |
Power - Max | 225mW |
Frequency - Transition | 50MHz |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | SOT-23-3 |
Product Change Notification | Possible Adhesion Issue 11/July/2008 |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DC COMPONENTS
|
62 568
|
1.97
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FSC
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
|
92 548
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC
|
700
|
4.14
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
1 171
|
1.60
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
UTC
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC ELECTRONICS CORP.
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ONS
|
17 776
|
5.59
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
YJ
|
309 984
|
1.03
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
GALAXY ME
|
1 504
|
1.03
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC ELECTRONICS CORP
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
|
1 024
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
YANGJIE
|
26 400
|
1 012.66
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
HOTTECH
|
1 959 027
|
1.90
>100 шт. 0.95
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
JANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
UNKNOWN
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
0.00
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
GME
|
1
|
3.45
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
JSCJ
|
1 962
|
1.58
>100 шт. 0.79
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
1
|
|
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
TRR
|
67 200
|
453.60
|
|
|
|
1N4148WS |
|
Импульсный диод Si-Diode 75V, 150mA
|
JSMICRO
|
222 784
|
1.38
>500 шт. 0.46
|
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
MURATA
|
19 678
|
8.14
|
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
|
4
|
18.00
|
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
MUR
|
272 944
|
6.51
|
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
MURATA
|
85 564
|
|
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
ЯПОНИЯ
|
|
|
|
|
|
BLM31PG601SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП ЧИП 600 Ом, ток до 1.5 A
|
MURATA*
|
|
|
|
|
|
BLM41PG102SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП 1806
|
MURATA
|
5 902
|
12.71
|
|
|
|
BLM41PG102SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП 1806
|
|
8
|
32.80
|
|
|
|
BLM41PG102SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП 1806
|
MUR
|
40 714
|
8.35
|
|
|
|
BLM41PG102SN1L |
|
Дроссель подавления ЭМП 1806
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
LQM21NN4R7K10L |
|
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
LQM21NN4R7K10L |
|
|
MUR
|
2
|
1.83
|
|
|
|
LQM21NN4R7K10L |
|
|
|
|
31.60
|
|
|
|
LQM21NN4R7K10L |
|
|
MURATA
|
8 886
|
7.41
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
12
|
2.46
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ONS
|
42 518
|
5.01
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
|
|
7.20
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 003
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBTA92LT1G |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)
|
0.00
|
|
|
|