MMBTH10LT1G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
MMBTH10LT1G (ON SEMICONDUCTOR.)	8 817	3-4 недели Цена по запросу
MMBTH10LT1G (ONS)	14 653	6.32

Версия для печати

Технические характеристики MMBTH10LT1G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	25V
Frequency - Transition	650MHz
Power - Max	225mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	60 @ 4mA, 10V
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3
Product Change Notification	Possible Adhesion Issue 11/July/2008

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

MMBTH10LT1G

VHF / UHF Transistor NPN Silicon

Производитель:
ON Semiconductor
//www.onsemi.com

MMBTH10LT1G datasheet
55.79Kb
6стр.