NDC651N

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
NDC651N		289.20

Версия для печати

Технические характеристики NDC651N

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.2A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	290pF @ 15V
Power - Max	800mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	6-SSOT, SuperSOT™-6
Корпус	6-SSOT
Product Change Notification	Cu Wire Change 30/July/2007 Cu Wire Change 27/Sept/2007 Mold Compoun

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NDC651N (Полевые ДМОП транзисторы)

N-channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Производитель:
Fairchild Semiconductor
//www.fairchildsemi.com

NDC651N datasheet
247.06Kb
10стр.