NDS9952A


Купить NDS9952A ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
NDS9952A
Версия для печати

Технические характеристики NDS9952A

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET TypeN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs80 mOhm @ 1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C3.7A, 2.9A
Vgs(th) (Max) @ Id2.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds320pF @ 10V
Power - Max900mW
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус8-SOICN
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

NDS9952A (N/P-канальные транзисторные модули)

Dual N and P-channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Производитель:
Fairchild Semiconductor
//www.fairchildsemi.com

NDS9952A datasheet
367.13Kb
13стр.
IRFL014N
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=2.7A@T=25C, Id=1.5A@T=70C, Rds=0.16 R, P=2.1W, -55 to +150C)
Купить
IRFP450LCPBF
Транзистор МОП n-канальный Low CHARG, 50
Купить
CAT5251-50
Четырехканальный 254-позиционный цифровой программируемый потенциометр (dpp™)
Купить
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход