SI3443DV
Hexfet power mosfets discrete p-channel
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | PowerTrench® |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 640pF @ 10V |
| Power - Max | 800mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-SSOT, SuperSOT™-6 |
| Корпус | 6-SSOT |
| Product Change Notification | Cu Wire Change 30/July/2007 Mold Compound Change 07/Dec/2007 Mold Co |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
SI3443DV (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 3296P-100К | CHINA |
|
|
|||||
| 3296P-100К | CHINA NATIONAL |
|
|
|||||
| 3296P-100К |
|
|
||||||
| 82562EZ | INTEL |
|
|
|||||
| 82562EZ | INTEL | 19 |
|
|||||
| MC79L05ACDR |
|
Стабилизатор напряжения -5V 0,1A | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||
| MC79L05ACDR |
|
Стабилизатор напряжения -5V 0,1A | 112 | 22.88 | ||||
| MC79L05ACDR |
|
Стабилизатор напряжения -5V 0,1A | TEXAS INSTRUMENTS | 200 |
|
|||
| MC79L05ACDR |
|
Стабилизатор напряжения -5V 0,1A | TEXAS |
|
|
|||
 |
TL431CDT | 3 | 32.40 | |||||
|
|
TL431CDT | ST MICROELECTRONICS |
|
|
||||
|
|
TL431CDT | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
||||
|
|
TL431CDT | STMicroelectronics |
|
|
||||
|
|
TL431CDT | МАРОККО |
|
|
||||
|
|
TL431CDT | ST MICROELECTR |
|
|
||||
|
|
TL431CDT | ST MICROELECTRO |
|
|
||||
| К10-43А-МПО-0,01 |
|
|
