Si3585DV-T1-E3
|
Версия для печати
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Серия | TrenchFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2A, 1.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 3.2nC @ 4.5V |
| Power - Max | 830mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-TSOP (0.065", 1.65mm Width) |
| Корпус | 6-TSOP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
 | СР75-108ФМВ Соединители типа СР-50 для соединения байонетным или резьбовым способом радиочастотных трактов с волновым сопротивлением 50 Ом. Диапазон частот от 300... 345.60 руб Купить |
 | MTS-212 A-2 Предельное напряжение 1000 В AC в теч 1 мин Предельный ток 6 А при 125 В АС 3 А при 250 В АС Сопротивление изоляции 1000 МОм min 500 В DС Сопротивлени... Купить |
 | SI8442-B-IS Четырехканальный, двунаправленный (2+2) цифровой изоляторОсобенности: Высокая скорость передачи данных: 0-150 Мбит/с Задержка распространения сигн... Купить |
