Версия для печати
Технические характеристики MPSW42

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	300V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 2mA, 20mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	40 @ 30mA, 10V
Power - Max	1W
Frequency - Transition	50MHz
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-92-3 (Long Body), TO-226
Корпус	TO-92

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SC4237		Биполярный транзистор NPN 1200V, 10A, 150W, 8MHz, Tf<300nS	CHINA
		2SC4237		Биполярный транзистор NPN 1200V, 10A, 150W, 8MHz, Tf<300nS	SHIN
		2SC4237		Биполярный транзистор NPN 1200V, 10A, 150W, 8MHz, Tf<300nS			481.12
		2SC4237		Биполярный транзистор NPN 1200V, 10A, 150W, 8MHz, Tf<300nS	UNKNOWN
		2SC4237		Биполярный транзистор NPN 1200V, 10A, 150W, 8MHz, Tf<300nS	КИТАЙ
		2SC4237		Биполярный транзистор NPN 1200V, 10A, 150W, 8MHz, Tf<300nS	ISC
		2SC4237		Биполярный транзистор NPN 1200V, 10A, 150W, 8MHz, Tf<300nS	ISCSEMI
		J112		Транзистор FET N-К.35В 0.05A TO92	FAIR
		J112		Транзистор FET N-К.35В 0.05A TO92	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		J112		Транзистор FET N-К.35В 0.05A TO92	ON SEMICONDUCTOR
		J112		Транзистор FET N-К.35В 0.05A TO92	SILICONIX
		J112		Транзистор FET N-К.35В 0.05A TO92	FAIRCHILD
		J112		Транзистор FET N-К.35В 0.05A TO92	FAIRCHILD
		J112		Транзистор FET N-К.35В 0.05A TO92	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		J112		Транзистор FET N-К.35В 0.05A TO92	ON SEMICONDUCTOR
		J112		Транзистор FET N-К.35В 0.05A TO92	SILICONIX
		J112		Транзистор FET N-К.35В 0.05A TO92	Fairchild Semiconductor
		J112		Транзистор FET N-К.35В 0.05A TO92	ONS-FAIR
		J112		Транзистор FET N-К.35В 0.05A TO92	ONS	28	57.86
		J112		Транзистор FET N-К.35В 0.05A TO92			225.20
		J112		Транзистор FET N-К.35В 0.05A TO92	ONSEMICONDUCTOR
		L6385			ST MICROELECTRONICS
		L6385			ST MICROELECTRONICS SEMI	9
		L6385			STMicroelectronics
		L6385
		L6385			4-7 НЕДЕЛЬ	585
		MPSW92RLRA			MOTOROLA
		MPSW92RLRA			ON SEMICONDUCTOR
		MPSW92RLRA			MOTOROLA
		MPSW92RLRA			ON SEMICONDUCTOR
		MPSW92RLRA
		NE5532D		Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C	NEC
		NE5532D		Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C	FAIR
		NE5532D		Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C	ON SEMICONDUCTOR
		NE5532D		Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C	PHILIPS
		NE5532D		Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C	SIGNETICS
		NE5532D		Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C	TEXAS INSTRUMENTS	18	18.15
		NE5532D		Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C	FAIRCHILD
		NE5532D		Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C	ON SEMICONDUCTOR
		NE5532D		Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C	TEXAS
		NE5532D		Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C	TEXAS INSTRUMEN
		NE5532D		Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C			39.52
		NE5532D		Сдвоенный малошумящий ОУ, GBW=10Mhz, 0.+70°C	4-7 НЕДЕЛЬ	156

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"