Корпус | 8-MSOP |
Корпус (размер) | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
Тип монтажа | Поверхностный |
Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | 2.7 V ~ 12 V, ± 2.5 V ~ 6 V |
Ток выходной | 375µA |
Напряжение входного смещения | 200µV |
Ток - входного смещения | 17nA |
Полоса пропускания -3Дб | 800kHz |
Скорость нарастания выходного напряжения | 0.3 V/µs |
Тип выхода | Rail-to-Rail |
Число каналов | 1 |
Тип усилителя | Instrumentation |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Output Type | Rail-to-Rail |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP
|
800
|
10.20
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DC COMPONENTS
|
15 893
|
2.67
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ITT SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DIOTEC
|
7 202
|
2.40
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DI
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ITT SEMICONDUCTOR
|
2 181
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
|
4
|
2.52
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
HOTTECH
|
59 588
|
1.50
>100 шт. 0.75
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DCCOMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SUNTAN
|
168 620
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
YJ
|
409 830
|
1.23
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
TRR
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
1
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KEFAN
|
|
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SLKOR
|
85 506
|
1.16
>100 шт. 0.58
|
|
|
|
BC847B |
|
Транзистор NPN маломощный 50V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NEXPERIA
|
79 200
|
1.61
|
|
|
|
L7805CDT-TR |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
2 241
|
27.89
|
|
|
|
L7805CDT-TR |
|
|
|
880
|
24.82
|
|
|
|
L7805CDT-TR |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
L7805CDT-TR |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
L7805CDT-TR |
|
|
ГЕРМАНИЯ
|
|
|
|
|
|
LM2903DG |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM2903DG |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM2903DG |
|
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
LM2903DG |
|
|
|
|
|
|
|
|
LM2903DG |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM2903DG |
|
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM2903DG |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
TPIC6B273DW |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TPIC6B273DW |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
TPIC6B273DW |
|
|
|
|
136.56
|
|
|
|
TPIC6B273DW |
|
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
TPIC6B273DW |
|
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
TS921IDT |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TS921IDT |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
TS921IDT |
|
|
|
|
|
|