ОУ бипл., 1000 МГц, 1350 В/мкс, Uсм = 0,2 мВ, 8 мкВ/°С, 3 нВ/VГц, Iвх = 2000 нА, Iвых = 70 мА, Iп = 16 мА, Uп = 3,3...12,6 В, -40...+125°C, SOIC8 без свинца. |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Тип усилителя | Voltage Feedback |
Число каналов | 1 |
Скорость нарастания выходного напряжения | 1350 V/µs |
Полоса пропускания -3Дб | 1GHz |
Ток - входного смещения | 2µA |
Напряжение входного смещения | 200µV |
Ток выходной | 16mA |
Ток выходной / канал | 70mA |
Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | 3.3 V ~ 12 V, ±1.65 V ~ 6 V |
Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
Корпус | 8-SOIC-EP |
|