|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
AD817ANZ |
|
Низкопотребляющие, высокоскоростные операционные усилители, 50МГц, 350В/мкС, Uпит от ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD817ANZ |
|
Низкопотребляющие, высокоскоростные операционные усилители, 50МГц, 350В/мкС, Uпит от ...
|
|
|
569.20
|
|
|
|
AD817ANZ |
|
Низкопотребляющие, высокоскоростные операционные усилители, 50МГц, 350В/мкС, Uпит от ...
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
AD817ANZ |
|
Низкопотребляющие, высокоскоростные операционные усилители, 50МГц, 350В/мкС, Uпит от ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
AD817ANZ |
|
Низкопотребляющие, высокоскоростные операционные усилители, 50МГц, 350В/мкС, Uпит от ...
|
США
|
|
|
|
|
|
AD817ANZ |
|
Низкопотребляющие, высокоскоростные операционные усилители, 50МГц, 350В/мкС, Uпит от ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
|
|
58.80
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
СЕВЕРНАЯ КОРЕЯ
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
КОРЕЯ, НАРОДНО-
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
HGSEMI
|
|
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
ISC
|
842
|
53.83
|
|
|
|
LM7805CT |
|
Линейный СН (Vout=5.0V, tol=4%, I=1.0A, Vinmax=35V, Vin,В 35V, Vout,В 5.0V, Iout 1.0A)
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS
|
266
|
43.35
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
UTC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
|
32
|
14.76
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
5
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST1
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
HGSEMI
|
|
|
|
|
|
PCHSN-15 |
|
Шестигранная стойка для печатных плат, 15мм, М3, латунь
|
|
28 205
|
9.37
|
|
|
|
PCHSN-15 |
|
Шестигранная стойка для печатных плат, 15мм, М3, латунь
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
PCHSN-15 |
|
Шестигранная стойка для печатных плат, 15мм, М3, латунь
|
CONNFLY
|
|
|
|
|
|
PCHSN-15 |
|
Шестигранная стойка для печатных плат, 15мм, М3, латунь
|
KLS
|
47 200
|
20.66
|
|
|
|
PCHSN-15 |
|
Шестигранная стойка для печатных плат, 15мм, М3, латунь
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
PCHSN-15 |
|
Шестигранная стойка для печатных плат, 15мм, М3, латунь
|
RUICHI
|
10 140
|
15.61
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
|
1 549
|
15.84
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
80
|
81.60
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
БРЯНСК
|
306
|
34.40
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ФРЯЗИНО
|
1 177
|
16.00
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭЛЕКТРОНПРИБОР
|
400
|
66.30
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭДЬТАВ
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭЛЬТАВ
|
300
|
16.00
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
УЛЬЯНОВСК
|
160
|
16.00
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМНИЙ ЭЛ
|
116
|
18.31
|
|